06.10.2020

SK hynix представила первую в мире оперативную память DDR5

Представлена оперативная память следующего поколения

Сегодня, 6 октября, впервые в мире компания SK hynix представила оперативную память следующего поколения DDR5 DRAM (Dynamic Random Access Memory).

По сравнению с DDR4 улучшены все показатели. Скорость передачи данных выше в 1,8 раз (4800-5600 Мб/с на контакт), напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В. Поддержка коррекции ошибок ECC (Error Correcting Code) повышает надёжность работы приложений в 20 раз.

Ёмкость планок SK hynix DDR5 DRAM достигает 256 Гб, для чего задействована технология производства Through-Silicon-Via (TSV).

Новое поколение памяти оптимизировано для приложений искусственного интеллекта, машинного обучения и больших данных. Первые отгрузки будут производиться в серверный сегмент, что должно значительно сократить энергопотребление и стоимость владения дата-центров.

Но со временем DDR5 DRAM, конечно же, получат и рядовые пользователи. Новая память должна стать хорошим апгрейдом скорости игровых компьютеров.